深圳市奇彩欣电子有限公司

优势供应全新进口IRFR024NTRPBF，IR原装场效应管专卖,只做原装
场效应管IRFR024N的技术参数：
 场效应管 MOSFET N D-PAK 55V 16A
 晶体管极性: N沟道
 电流, Id 连续: 16A
 电压, Vds 最大: 55V
 在电阻RDS（上）: 70mohm
 电压 @ Rds测量: 10V
 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
 功耗, Pd: 38W
 工作温度敏: -55°C
 工作温度最高: 175°C
 封装类型: TO-252
 针脚数: 3
 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
 SMD标号: IRFR024N
 功率, Pd: 38W
 功耗: 38W
 外宽: 6.8mm
 外部深度: 10.5mm
 外部长度/高度: 2.55mm
 封装类型: DPAK
 封装类型, 其它: D-PAK
 工作温度范围: -55°C 到 +175°C
 晶体管数: 1
 温度 @ 电流测量: 25°C
 满功率温度: 25°C
 漏极电流, Id 最大值: 17A
 热阻, 结点至外壳A: 3.3°C/W
 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
 电压, Vds 典型值: 55V
 电压, Vgs 最高: 4V
 电流, Idm 脉冲: 68A
 表面安装器件: SMD
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